charles dennison

charles dennison

Intel
بريد إلكتروني تم التحقق منه على intel.com
تم اقتباسها في عدد: 12661
NAND DRAM Phase change Ovonyx VLSI
Rino Micheloni

Rino Micheloni

Microsemi
بريد إلكتروني تم التحقق منه على ieee.org
تم اقتباسها في عدد: 5599
Flash memories NAND SSD ECC LDPC
Chen Yang Yin 陈杨胤

Chen Yang Yin 陈杨胤

SanDisk
بريد إلكتروني تم التحقق منه على sandisk.com
تم اقتباسها في عدد: 5331
Emerging memory ReRAM SCM NAND STT-MRAM
Jun Wan

Jun Wan

Micron
بريد إلكتروني تم التحقق منه على micron.com
تم اقتباسها في عدد: 2410
NAND flash memory SSD system architecture
Guiqiang Dong

Guiqiang Dong

PhD from Rensselaer Polytechnic Institute
تم اقتباسها في عدد: 1530
Video/Data Compression LDPC SSD NAND FTL
Byung Yong Choi

Byung Yong Choi

Samsung Electronics
بريد إلكتروني تم التحقق منه على samsung.com
تم اقتباسها في عدد: 1521
Semiconductor Flash Memory NAND 3D NAND Yield Management
Richard Hill

Richard Hill

Manager - Micron
بريد إلكتروني تم التحقق منه على micron.com
تم اقتباسها في عدد: 1492
NAND III-V MOSFETs CMOS
Haibo Li

Haibo Li

Purdue University, Sandisk, Western Digital, SK Hynix memory solutions, Yangtze Memory …
بريد إلكتروني تم التحقق منه على micron.com
تم اقتباسها في عدد: 1471
NAND flash memory non-volatile memory semiconductor device SSD
Rock-Hyun Baek

Rock-Hyun Baek

POSTECH, Electrical Engineering
بريد إلكتروني تم التحقق منه على postech.ac.kr
تم اقتباسها في عدد: 1407
Gate-All-Around FinFET Machine Learning NAND 3DIC
Chen Jin

Chen Jin

Engineer, Micron Technology
بريد إلكتروني تم التحقق منه على micron.com
تم اقتباسها في عدد: 1219
NAND GaN radiation reliability
1 - 10