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Potential monitoring during Ge electrochemical etching: Towards tunable double porosity layers
T Hanuš, L Mouchel, B Ilahi, A Dupuy, J Cho, K Dessein, A Boucherif
Electrochimica Acta 474, 143529, 2024
Exigences : Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies
Sequential fabrication of multiple Ge nanomembranes from a single wafer: Towards sustainable recycling of Ge substrates
A Chapotot, B Ilahi, T Hanuš, G Hamon, J Cho, K Dessein, M Darnon, ...
Sustainable Materials and Technologies 39, e00806, 2024
Exigences : Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies
In-situ height engineering of quantum dots by chemical beam epitaxy
J Zribi, D Morris, B Ilahi, A Aldhubaib, V Aimez, R Ares
Journal of Nanophotonics 10 (3), 033502-033502, 2016
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada
Thermal strain relaxation of GaAs overgrown on nanovoid based Ge/Si substrate
J Henriques, B Ilahi, A Heintz, D Morris, R Arès, A Boucherif
Journal of Crystal Growth 624, 127433, 2023
Exigences : Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies
Disponibles quelque part : 23
Wafer-scale Ge freestanding membranes for lightweight and flexible optoelectronics
T Hanuš, B Ilahi, A Chapotot, H Pelletier, J Cho, K Dessein, A Boucherif
Materials Today Advances 18, 100373, 2023
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada, Fonds de …
Large‐Scale Formation of Uniform Porous Ge Nanostructures with Tunable Physical Properties
T Hanuš, J Arias‐Zapata, B Ilahi, PO Provost, J Cho, K Dessein, ...
Advanced Materials Interfaces 10 (14), 2202495, 2023
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada, Fonds de …
Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon
A Heintz, B Ilahi, A Pofelski, G Botton, G Patriarche, A Barzaghi, S Fafard, ...
Nature Communications 13 (1), 6624, 2022
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada, European …
Wafer-scale detachable monocrystalline germanium nanomembranes for the growth of III–V materials and substrate reuse
N Paupy, ZO Elhmaidi, A Chapotot, T Hanuš, J Arias-Zapata, B Ilahi, ...
Nanoscale Advances 5 (18), 4696-4702, 2023
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada, Fonds de …
Germanium surface wet-etch-reconditioning for porous lift-off and substrate reuse
A Chapotot, B Ilahi, J Arias-Zapata, T Hanuš, A Ayari, G Hamon, J Cho, ...
Materials Science in Semiconductor Processing 168, 107851, 2023
Exigences : Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies
High‐efficiency GaAs solar cells grown on porous germanium substrate with PEELER technology
V Daniel, T Bidaud, J Chretien, N Paupy, A Ayari, TM Diallo, T Hanuš, ...
Solar RRL 8 (1), 2300643, 2024
Exigences : Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies
Engineering visible light emitting point defects in Zr-implanted polycrystalline AlN films
A Aghdaei, R Pandiyan, B Ilahi, M Chicoine, M El Gowini, F Schiettekatte, ...
Journal of Applied Physics 128 (24), 2020
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada, Fonds de …
O-band emitting InAs quantum dots grown by MOCVD on a 300 mm Ge-buffered Si (001) substrate
O Abouzaid, H Mehdi, M Martin, J Moeyaert, B Salem, S David, A Souifi, ...
Nanomaterials 10 (12), 2450, 2020
Exigences : Agence Nationale de la Recherche
Critical process temperatures for resistive InGaAsP/InP heterostructures heavily implanted by Fe or Ga ions
A Fekecs, M Chicoine, B Ilahi, AJ SpringThorpe, F Schiettekatte, D Morris, ...
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam …, 2015
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada
Effect of dot-height truncation on the device performance of multilayer InAs/GaAs quantum dot solar cells
J Zribi, B Ilahi, B Paquette, A Jaouad, O Thériault, K Hinzer, R Cheriton, ...
IEEE Journal of Photovoltaics 6 (2), 584-589, 2016
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada
Sustainable Production of Ultrathin Ge Freestanding Membranes
T Hanuš, B Ilahi, J Cho, K Dessein, A Boucherif
Sustainability 16 (4), 1444, 2024
Exigences : Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies
Micro-fabrication and transfer of a detachable Ge epitaxial layer grown on porous germanium
V Daniel, J Chretien, G Hamon, M De Lafontaine, N Paupy, ZO El Hmaidi, ...
2022 IEEE 49th Photovoltaics Specialists Conference (PVSC), 0770-0772, 2022
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada
Temperature dependence of optical properties of InAs/InP quantum rod-nanowires grown on Si substrate
MHH Alouane, O Nasr, H Khmissi, B Ilahi, G Patriarche, MM Ahmad, ...
Journal of Luminescence 231, 117814, 2021
Exigences : Agence Nationale de la Recherche
Tunable emission wavelength stacked InAs/GaAs quantum dots by chemical beam epitaxy for optical coherence tomography
B Ilahi, J Zribi, M Guillotte, R Arès, V Aimez, D Morris
Materials 9 (7), 511, 2016
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada
Microstructural evolution of a recrystallized Fe‐implanted InGaAsP/InP heterostructure
A Fekecs, A Korinek, M Chicoine, B Ilahi, F Schiettekatte, D Morris, R Arès
physica status solidi (a) 212 (9), 1888-1896, 2015
Exigences : Conseil de recherches en sciences naturelles et en génie du Canada
Ultrafast photocarrier dynamics in Fe-implanted InGaAs polycrystalline photoconductive materials
DJJ Fandio, B Ilahi, M Dion, B Petrov, H Pelletier, R Arès, D Morris
Journal of Physics: Condensed Matter 33 (38), 385701, 2021
Exigences : Fonds de recherche du Québec ‐ Santé, Conseil de recherches en sciences …
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